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可移动的源法兰和上下分体式冷屏、
可配备12个源口、
冷屏可在1个工作日内更换、
可用于外延生长GaAs, GaSb, InP, CdTe, HgCdTe, ZnO and GaN材料、
适用于用于4”, 3”,2”衬底尺寸
R450是紧凑型MBE系统,用于最大3英寸衬底的外延生长
可移动的源法兰和上下分体式冷屏
可提供两套冷屏
冷屏可在2个工作日内更换
可用于外延生长GaAs, GaSb, InP, GaN材料
适用于用于4×4”, 7×3”, 1 x 200 mm, 1×6” and 14×2”衬底尺寸
可根据客户的特殊需求提供定制系统。
提供给各种型号的泄流源,裂解源和其它源。
TheIMCseriesaddressesthelackofmodernequipmentfornewtypeofproductionimplantsandadvancedresearch. TheIMCtoolhasbeendesignedtobeeasytouse, easytomaintain,andwithhighreliability.Offers× Upto4activegasli
> 注入离子能量200KeV或400KeV双电荷注入可达到800KeV三电荷注入可达到1200KeV> IHC离子源> 扩大的注入离子装载能力 可同时配有4个2.2L气罐 可配有4路惰性气路> 注入离子的原子质量可达到218AMU> 同时具备所有IMC的特点
Plasmaimmersionionimplantationisaversatileprocesstechnologywithwideapplicationsinmicroelectronicsprocessing&materialsengineering.Offers× Simultaneousimplantationofthefullwafer× Ultralowenergy(downto30
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